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摩尔定律告别单纯缩尺寸,新工艺多点开花。高NA EUV、原子光刻突破光刻极限,背

摩尔定律告别单纯缩尺寸,新工艺多点开花。高NA EUV、原子光刻突破光刻极限,背面供电、CFET堆叠提升芯片密度,玻璃基板革新封装材料,3D先进集成普及,各类新材料同步迭代,全方位拉高AI芯片算力上限。