台积电宣布，将再度加码投资美国亚利桑那州1000亿美元，规划新建4座及以上2纳米以下先进制程晶圆厂与先进封装厂。加码完成后，台积电在美国地区总投资将达到2650亿美元，折合新台币约8.5兆元，创下企业海外投资历史新高。

目前台积电在美国的第一座晶圆厂已实现量产，良率水准与中国台湾厂区持平；第二座厂房正在进行设备装机，第三座厂房也已动工，整体厂区规划规模持续扩大。

与此同时，台积电在中国台湾同步规划兴建13座先进制程晶圆厂与先进封装厂，后续还会持续追加本土投资；公司计划在中国台湾、日本、美国三地各新增一座3纳米工厂。下一代A14工艺预计2027年开展风险试产、2028年正式量产，A13、A12制程则规划2029年进入量产阶段。

关键信息补充说明

1. 投资规划背景
上述信息来自台积电2026年7月16日第二季法人说明会，董事长魏哲家正式公布亚利桑那扩建计划，新增千亿美金资金用于布局N2（2nm）及以下尖端工艺与CoWoS先进封装产线，扩产完成后美国片区将拥有10座晶圆厂、2座封装厂。
2. 美国厂区进度

- 一厂（4nm）：已量产，良率对标台湾厂区；
- 二厂（3nm）：设备装机阶段；
- 三厂（2nm）：已动工；
- 本次追加投资新建4座厂房，以2nm及以下先进制程、先进封装为主。

3. 全球产能布局

- 中国台湾：新建13座先进制程+先进封装厂区，是全球核心先进产能基地；
- 日本熊本：规划新增3nm产线，侧重车规芯片；
- 美国亚利桑那：新增3nm、2nm多座厂房，服务北美AI、手机客户。

4. 下一代先进制程时间线

- A14（第二代GAA纳米片）：2027风险试产、2028量产；
- A13、A12：2029年同步量产。