【PCB设备】1.6T光模块+CoWoP+NPO打开mSAP工艺应用场景

1.6T光模块与NPO伴随信号传输要求提高，需使用mSAP工艺：1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对串扰及阻抗波动敏感，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm。NPO同理，带宽需求带动更密集的SerDes走线要求，需进一步缩小线宽线距，需使用mSAP工艺。CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距：伴随封装技术推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。相比CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-On-Substrate），CoWoP省略封装基板，对底层PCB提出接近载板化的布线要求。线宽线距缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺。

mSAP工艺渗透带动设备投资需求：①钻孔设备：孔径缩小至50μm左右，使用超快激光钻效果更佳；②曝光设备：线宽线距缩小至15μm，对位精度与成像精度要求提高；③电镀设备：需控制铜厚均匀性在±5%以内，保证线路分布均匀；④成型设备：1.6T光模块PCB面积小结构复杂，使用CCD锣机。

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